Kioxia menunjukkan pengganti yang mungkin untuk 'flash kembar' nand ''

Kioxia, dahulunya dikenali sebagai Memori Toshiba, telah mencipta pengganti untuk memori flash NAND 3D, yang menawarkan ketumpatan penyimpanan yang lebih tinggi berbanding flash NAND QLC.

Kioxia merekabentuk teknologi Twin BiCS Flash, kepadatan memori NAND

Teknologi baru ini, yang diumumkan Khamis, membolehkan cip memori mempunyai sel-sel yang lebih kecil dan lebih banyak penyimpanan bagi setiap sel, yang dapat meningkatkan ketumpatan memori setiap sel.

Kioxia mengumumkan " sel-sel memori memori flash perpecahan separuh bulat" yang pertama di dunia, yang dipanggil Twin BiCS Flash. Ini berbeza dengan produk Kioxia lain, Flash BiCS5. BiCS5 Flash menggunakan sel-sel perangkap caj bulat, manakala Twin BiCS Flash menggunakan sel-sel gerbang mengepung separuh bulat. Struktur baru memperluaskan tetingkap pengaturcaraan sel, walaupun sel-sel secara fizikal lebih kecil dibandingkan dengan teknologi CT.

Berkembar BiCS berkembar adalah pilihan terbaik untuk berjaya dengan teknologi NLC QLC, walaupun pelaksanaan masa depan cip ini masih belum diketahui. Cip baru ini dengan ketara meningkatkan penyimpanan memori kilat, yang menjadi masalah besar bagi pengeluar, walaupun kini ada tiga pemikiran tentang bagaimana untuk memperbaiki ini.

Salah satu pilihan adalah untuk menambah bilangan lapisan. Pengilang baru-baru ini telah meluluskan cip kilat NAND 96 lapisan dan mendapat cip kilat NAND 128 lapisan. Satu lagi cara untuk meningkatkan ketumpatan teknologi flash NAND adalah untuk mengurangkan saiz sel, membolehkan lebih banyak sel diletakkan dalam satu lapisan.

Lawati panduan kami pada pemacu SSD yang terbaik di pasaran

Cara terakhir untuk meningkatkan kepadatan memori NAND adalah untuk meningkatkan jumlah bit per sel, yang paling banyak digunakan oleh pengeluar. Kaedah ini telah membolehkan kami memperoleh SLC, MLC, TLC, dan yang terbaru ialah QLC NAND, yang meningkatkan bilangan bit per sel oleh satu berbanding dengan teknologi terdahulu.

Teknologi yang lebih baru ini, BiCS Flash Twin, masih dalam fasa penyelidikan dan pembangunan dan bertahun-tahun lamanya tidak dilaksanakan. Walaupun cip kilat NAND 128-lapisan BICS5 dijangka mencecah pasaran pada tahun 2020, pengeluar, SK Hynix, dan Samsung dapat melebihi 100 lapisan pada awal 2019, dengan cip NAND 128-layer 128 dan V-NAND v6.

Fon Wccftech