Samsung untuk meninggalkan teknologi finfet pada 3nm, yang dijadualkan pada tahun 2022

Semasa acara Samsung Foundry Forum 2018, gergasi Korea Selatan mendedahkan beberapa penambahbaikan baru dalam teknologi prosesnya yang bertujuan untuk pengkomputeran prestasi tinggi dan peranti bersambung. Syarikat itu akan meninggalkan teknologi FinFET pada 3nm.

Samsung akan menggantikan FinFET dengan transistor baru dengan 3 nm, semua butirannya

Pelan tindakan baru Samsu ng memberi tumpuan kepada menyediakan pelanggan dengan lebih banyak sistem tenaga yang cekap untuk peranti yang menyasarkan pelbagai industri. Charlie Bae, naib presiden eksekutif dan pengarah jualan dan pemasaran untuk faundri, berkata, "Trend ke arah dunia yang lebih pintar, lebih banyak dihubungkan menjadikan industri ini lebih menuntut pembekal silikon."

Kami mengesyorkan membaca kiriman kami di Samsung akan meningkatkan keupayaan kecerdasan buatan dengan Bixby 2.0 pada Galaxy Note 9

Teknologi proses seterusnya Samsung adalah Low Power Plus 7nm berdasarkan litografi EUV, yang akan memasuki fasa pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua tahun ini dan akan berkembang pada separuh pertama tahun 2019. Langkah seterusnya ialah proses Rendah. Kuasa 5nm Awal yang akan meningkatkan kecekapan tenaga 7nm ke tahap yang baru. Proses-proses ini masih berdasarkan teknologi FinFET, seperti yang akan datang pada 4nm.

Teknologi FinFET akan ditinggalkan dengan pindah ke proses 3nm Gate-All-Around Early / Plus, yang akan berdasarkan jenis transistor yang lebih baru yang membolehkan menyelesaikan masalah skala fizikal yang hadir dengan FinFET. Masih ada beberapa tahun sebelum proses pembuatan ini mencapai 7 nm, anggaran pertama menunjuk pada tahun 2022, walaupun perkara paling biasa adalah terdapat beberapa kelewatan yang terlibat.

Kami semakin dekat dengan had silikon, dianggarkan pada 1nm, menjadikannya lebih sukar untuk bergerak ke hadapan dengan proses pembuatan baru, dan jurang semakin kecil.

Fon Techspot