Samsung mengumumkan kenangan baru v

Teknologi penyimpanan SSD terus bertambah baik dalam langkah gergasi dan Samsung berada di barisan hadapan inovasi, mengumumkan generasi kelima V-NAND, yang akan meningkatkan bilangan lapisan menjadi 96 dengan sedikit perubahan reka bentuk yang lain. Generasi kelima akan termasuk kilat NAND pertama QLC Samsung (empat bit per sel), dengan kapasiti 1TB (128 GB) setiap mati.

Kenangan V-NAND 96-lapisan: Lebih banyak penyimpanan, ketahanan dan kurang penggunaan

Tahun lepas, Samsung telah mengumumkan NAND generasi keempat 3D, dengan reka bentuk 64 lapisan. Generasi keempat V-NAND kini dalam pengeluaran dan akan digunakan dalam banyak produk dalam beberapa bulan akan datang. Kebanyakan produk akan menggunakan array TLC 256GB atau 512GB. Berbanding dengan V-NAND 48-lapisan generasi ketiga, V-NAND 64-lapisan menawarkan prestasi membaca yang sama, tetapi lebih kurang 11% prestasi menulis lebih tinggi.

Penggunaan kuasa telah bertambah baik dengan ketara, dengan arus yang diperlukan untuk operasi membaca menurun sebanyak 12% dan untuk operasi program , penggunaan kuasa yang diperlukan telah menurun sebanyak 25%. Samsung mendakwa bahawa V-NAND 64-lapisan dalam konfigurasi TLC boleh berlangsung dari 7, 000 hingga 20, 000 kitaran / padam pemodelan, jadi dengan memori lapisan baru 96 ini, unit akan mempunyai hayat lebih lama.

SSD yang diumumkan oleh Samsung berdasarkan teknologi V-NAND terdahulu termasuk SAS SSD yang berasaskan 2.5 '128TB QLC. Untuk unit ini, Samsung akan menyusun 32 matriks setiap pakej, untuk sejumlah 4TB pada setiap peranti BGA.

Ini adalah langkah baru dalam masa terdekat untuk memulakan pemotongan storan magnetik.

Sumber: anandtech