Samsung mengesahkan pengeluaran besar-besaran memori 10nm ddr4

Samsung telah mengesahkan permulaan pengeluaran besar-besaran memori DDR4 DRAM dengan ketumpatan 8 Gibagit dan dengan proses 10FM FinFET generasi kedua yang maju, yang akan menawarkan tahap kecekapan dan prestasi tenaga baru.

Samsung bercakap tentang generasi kedua memori DDR4 10nm

Memori baru 10nm dan 8Gb DDR4 Samsung menawarkan 30 peratus lebih produktiviti daripada generasi 10n terdahulu, ditambah dengan prestasi 10 peratus lebih dan 15 peratus lagi kecekapan tenaga, semua terima kasih menggunakan teknologi rekabentuk litar yang dipatenkan lanjutan.

Sistem pengesanan data baru membolehkan penentuan data yang lebih tepat untuk disimpan dalam setiap sel, yang nampaknya menimbulkan peningkatan dalam tahap integrasi litar dan produktiviti pembuatan. Generasi kedua memori 10nm ini menggunakan spacer udara di sekeliling garis kecilnya untuk mengurangkan kapasitansi yang liar, ini tidak hanya memudahkan tahap penskalaan, tetapi juga operasi sel pantas.

"Dengan membangunkan teknologi inovatif dalam reka bentuk dan proses litar DRAM, kami telah mengatasi apa yang telah menjadi penghalang besar kepada skalabiliti DRAM. DRAM kelas 10nm generasi kedua, kami akan memperluaskan pengeluaran DRN 10nm keseluruhan kami secara lebih agresif, untuk menampung permintaan pasaran yang kukuh dan terus mengukuhkan daya saing komersil kami."

"Untuk membolehkan pencapaian ini kami telah menggunakan teknologi baru, tanpa menggunakan proses EUV. Inovasi ini termasuk penggunaan sistem pengesanan data sel yang sangat sensitif dan skop spacer udara yang progresif."

Fudzilla font