Samsung memulakan pengeluaran besar-besaran 10nm generasi kedua 10lm

Samsung hari ini mengumumkan permulaan pengeluaran besar-besaran cip berdasarkan proses pembuatan 10nm FinFET 10LPP generasi kedua, dengan itu mencapai tahap prestasi dan kecekapan tenaga yang baru.

Samsung sudah mempunyai 10 nm siap FinFET 10LPP

Proses pembuatan baru ini telah dinamakan 10 nm FinFET 10LPP (Low Power Plus) dan dicirikan dengan menawarkan pengurangan penggunaan tenaga sebanyak 15% berbanding dengan versi pertama 10FF FinFET, pada masa yang sama meningkatkan prestasi sebanyak 10% jadi kami mempunyai peningkatan yang sangat penting. Ini akan menghasilkan peranti mudah alih baru dengan autonomi yang lebih baik dan lebih berkuasa untuk semua jenis tugas.

AMD akan menggunakan proses FinFET LP 12nm untuk generasi kedua Ryzen dan Vega

SoCs yang pertama yang dihasilkan dengan proses ini di 10nm FinFET 10LPP akan tiba pada awal tahun 2018, walaupun ketersediaannya akan agak terhad pada awalnya, seperti biasanya terjadi di semua generasi.

"Kami akan dapat memberikan perkhidmatan yang lebih baik kepada pelanggan kami dengan berhijrah dari 10LPE kepada 10LPP dengan prestasi yang lebih baik dan prestasi awal yang lebih tinggi, " kata Ryan Lee, naib presiden Marketing Foundry di Samsung Electronics. "Samsung dengan pengalaman lama dalam strategi proses 10nm akan terus berkembang teknologi dari 10nm hingga 8LPP untuk menawarkan pelanggan kelebihan daya saing yang berbeza untuk pelbagai aplikasi."

Samsung juga telah mengumumkan bahawa barisan pengeluaran S3 yang baru di Korea bersedia untuk menghasilkan cip 10nm dan lithographs masa depan seperti 7nm FinFET dengan teknologi EUV yang akan dihasilkan secara besar-besaran di kilang kedua.

Fon Techpowerup