Samsung menunjukkan kira-kira 256gb rim memori
Isi kandungan:
Samsung telah menunjukkan modul memori 256GB yang pertama untuk pelayan yang akan datang. Modul berdaftar RDIMM adalah berdasarkan pada peranti memori 16Gb DDR4 Samsung, yang diperkenalkan pada awal tahun ini dan mengambil kesempatan daripada pembungkusan 3DS (tiga dimensi) syarikat.
Modul memori 256GB Samsung RDIMM baru
Modul baru ini akan menawarkan prestasi yang lebih tinggi dan penggunaan kuasa yang lebih rendah daripada dua LRDIMM 128GB yang digunakan hari ini. DIMM berdaftar 256GB DDR4 Samsung dengan ECC membawa 36 paket memori dengan kapasiti 8GB (64Gbit) masing-masing, bersama-sama dengan cip pendaftaran IDT 4RCD0229K, untuk menyimpan alamat dan isyarat arahan dan menambah nombor julat yang disokong oleh saluran ingatan. Pakej ini didasarkan pada empat komponen 16Gb tunggal-mati, yang saling terhubung dengan laluan silikon (TSV). Secara seni bina, modul 256GB dinilai secara automatik kerana ia mempunyai dua julat fizikal dan empat julat logik.
Kami cadangkan membaca siaran kami di GDDR5 vs GDDR6: Perbezaan antara kenangan
Sangat menarik untuk dicatat bahawa DIMM baru ini adalah DIMM Berdaftar (RDIMM) dan bukan DIMM Beban Rendah (LRDIMM). LRDIMM biasanya diperlukan untuk konfigurasi kapasiti tinggi, dengan gaya DIMM ini bergantung pada penampan tambahan yang merosakkan penggunaan kuasa dan latensi berbanding RDIMMs.
Proses pemproses Intel Xeon Cascade Lake akan menyokong sehingga 3.84TB memori dalam semua 12 slot DIMM, jadi dengan memasang 12 x 256GB RDIMMs, pelayan soket dua boleh mendapatkan memori 6TB. Pemproses EPYC yang sedia ada secara rasmi menyokong sehingga 128GB modul memori LRDIMM dan sehingga 2TB jumlah memori, yang logik sejak AMD belum lagi mengesahkan 256GB RDIMM. Sekiranya AMD mendapati bahawa RDIMM 256GB adalah berdaya maju untuk platform anda, anda boleh menyokongnya dengan menaik taraf microcode pemproses EPYC anda yang sedia ada, atau hanya mengesahkannya dengan CPU 7nm EPYC "Rom" yang akan datang.
Samsung tidak mendedahkan spesifikasi tepat RDIMM 256GB, tetapi tidak menjangkakan kekerapannya jauh lebih tinggi daripada kelajuan DDR4-2400 dan DDR4-2667 yang biasa.
Fon TechpowerupAsus memperkenalkan motherboard rim maksimus v ekstrim berdasarkan platform z77
ROG Maximus V Extreme adalah motherboard Z77 yang mempunyai keupayaan penanda aras dan keupayaan overclocking yang lebih kompetitif. Menyokong generasi ke-3 dan ke-2
Tersedia Kad Memori Edge 128GB dan 256GB Micron Edge Sekarang
Kad Micron Edge Storage MicroSDXC baru datang dalam kapasiti 256GB dan 128GB untuk menyampaikan sehingga tiga tahun rakaman video berkualiti tinggi.
Samsung akan meningkatkan pengeluaran memori memori
Samsung akan meningkatkan kapasiti pengeluaran dua tumbuh-tumbuhan yang didedikasikan untuk mengeluarkan cip memori DRAM yang terletak di Korea Selatan.
