Samsung merancang untuk mengeluarkan cip 3nm gaafet pada tahun 2021

Pada pertengahan tahun lepas, berita muncul bahawa Samsung merancang untuk menghasilkan cip 3nm pada tahun 2022, tetapi nampaknya akan menjadi tahun awal, dengan ketibaan teknologi transistor baru yang disebut GAAFET.

Samsung mula mengeluarkan 3nm cip GAAFET pada tahun 2021

Samsung telah mengesahkan bahawa ia merancang untuk memulakan pengeluaran bersiri transistor 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) pada tahun 2021, menggunakan jenis transistor yang direka untuk menggantikan FinFET yang terkenal hari ini.

Nama GAAFET menerangkan semua yang anda perlu ketahui mengenai teknologi. Mengatasi prestasi FinFET dan had skala dengan menawarkan empat pintu di sekeliling semua saluran untuk menawarkan liputan penuh. Sebagai perbandingan, FinFET merangkumi tiga sisi saluran berbentuk kipas. Sesungguhnya, GAAFET mengambil idea transistor tiga dimensi ke peringkat seterusnya.

Teknologi baru juga akan membolehkan ia beroperasi pada voltan yang lebih rendah daripada sekarang, walaupun mereka tidak terperinci dengan tepat bagaimana peningkatan dalam prestasi tenaga ini akan diterjemahkan.

Samsung telah membangunkan teknologi GAAFET selama beberapa tahun, dan anggaran syarikat sebelum ini melancarkan teknologi 4nm GAAFET seawal tahun 2020. Samsung juga menjangka ia menjadi syarikat pertama yang melancarkan nod proses 7nm EUV., dengan rancangan untuk memulakan pengeluaran pada tahun ini. TSMC pesaingnya juga merancang untuk melaksanakan teknologi EUV dengan 7nm + nodnya.

Sekiranya anggaran Samsung adalah betul, syarikat itu mempunyai peluang untuk menjadi pembuat silikon terkemuka di dunia selama bertahun-tahun yang akan datang, walaupun itu tidak bermakna TSMC tidak boleh bertarung.

Fon overclock3D