Samsung mengumumkan exynos 9, cip pertama dibuat pada 10nm

Samsung telah membuat pembentangan rasmi cip Exynos 9 Series 8895 yang baru, yang akan hadir di telefon Samsung Galaxy S8 baru. Pengumuman pemproses baru ini menandakan pencapaian teknologi, kerana ia adalah 10 semikonduktor pertama nanometer untuk memukul pasaran dalam beberapa bulan akan datang.

Exynos 9 adalah pemproses yang paling berkuasa yang pernah dibuat oleh Samsung

Exynos 9 Series 8895 adalah pemproses yang direka khas untuk telefon bimbit dan mempunyai proses pembuatan 10nm FINFET baru dan struktur transistor 3D, yang paling maju di dunia setakat ini. Proses pembuatan baru ini meningkatkan prestasi sebanyak 27% dan mengurangkan penggunaan tenaga sebanyak 40% berbanding model 14nm sebelumnya. Kemajuan dari segi penggunaan tenaga akan menjadi sangat ketara untuk meningkatkan autonomi telefon Samsung seterusnya, lebih penting daripada peningkatan kelajuan.

Exynos 9 adalah CPU lapan teras, empat daripadanya berkapasiti tinggi pada 2.5 GHz dan empat teras Cortex-A53 berkuasa rendah pada kelajuan 1.7 GHz. Di dalam pakej ini terdapat GPU Mali G71 MP20 yang berjalan di 550 MHz dan pengawal memori dengan sokongan LPDDR4.

Juga termasuk modem Cat 16 LTE baru, yang membolehkan kadar pemindahan data dalam talian sehingga 1 gigabit dan unit pemprosesan yang mampu merekodkan kandungan 4K pada 120 bingkai sesaat.

Exynos 9 kini dalam proses pembuatan massa dan akan digunakan dalam Samsung Galaxy S8 seterusnya bersama Snapdragon 835, yang juga dibuat dalam 10 nanometer. Samsung akan menggunakan satu atau cip lain bergantung kepada rantau ini untuk jenama baru Samsung Galaxy S8, yang dijangka pada bulan April.